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STH400N4F6-2中文资料Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH400N4F6-2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
Low gate charge
Very low on-resistance
High avalanche ruggedness
技术参数
- 型号：
STH400N4F6-2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
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SH矽泰 |
24+ |
MSOP-8WCSP9 |
990000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
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1000 |
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N/A |
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24+ |
NA/ |
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ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
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SH矽泰 |
24+ |
MSOP-8WCSP9 |
362652 |
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ST |
15+ |
TO-263 |
4000 |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
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SH矽泰 |
23+ |
MSOP-8WCSP9 |
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