首页>STH410N4F7-6AG>规格书详情
STH410N4F7-6AG中文资料汽车级N沟道40 V、0.8 mOhm典型值、200 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装数据手册ST规格书
STH410N4F7-6AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STH410N4F7-6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-6
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：200
- PTOT_max(W)
：365
- Qg_typ(nC)
：141
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4339 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263-6 |
30000 |
代理原装现货,价格优势。 |
询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268992邹小姐 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2PAK-6 |
1000 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!! |
询价 | ||
24+ |
20 |
询价 | |||||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
