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STH410N4F7-6AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STH410N4F7-6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-6
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：200
- PTOT_max(W)
：365
- Qg_typ(nC)
：141
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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20 |
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ST/意法半导体 |
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