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STH410N4F7-6AG

汽车级N沟道40 V、0.8 mOhm典型值、200 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

STH410N4F7-6AG

Switching applications

文件:848.5 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STHVDAC-303F6

ST
BGA

ST

STHVDAC-303F6

ST/意法
BGA

ST/意法

STI3484

SUNTO
ESOP8

SUNTO

技术参数

  • Package:

    H2PAK-6

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0011

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    200

  • PTOT_max(W):

    365

  • Qg_typ(nC):

    141

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STH410N4F7-6AG供应商 更新时间2025-10-12 13:00:00