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STH410N4F7-2AG中文资料汽车级N沟道40 V、0.8 mOhm典型值、200 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH410N4F7-2AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STH410N4F7-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：200
- PTOT_max(W)
：365
- Qg_typ(nC)
：141
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
19+ |
H2PAK |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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