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STF16NK60Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.42Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:319.09 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STF16NK60Z

N-channel 600 V, 038 廓, 14 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:751.44 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF16NK60Z

N-channel 600 V, 038 Ω, 14 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

ST

意法半导体

STP16NK60Z

N-CHANNEL 600V - 0.38??- 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH??MOSFET

文件:283.81 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP16NK60Z

N-CHANNEL 600V - 0.38 - 14 A TO-220 /I2SPAK/TO-247 Zener - Protecdet SuperMESH??MOSFET

文件:233.25 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP16NK60Z

N-channel 600 V, 038 廓, 14 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:751.44 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STF16NK60Z

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
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更多STF16NK60Z供应商 更新时间2026-1-30 23:00:00