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STF57N65M5	文件：1.36435 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STF57N65M5	文件：1.36435 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 650 V, 0.056 廓 typ., 42 A MDmesh??V Power MOSFET in I짼PAK, TO-220, TO-220FP and D짼PAK packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STF57N65M5	文件：291.76 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingappli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STB57N65M5	文件：1.36435 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.056typ.,42AMDmeshVPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB57N65M5	文件：263.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STI57N65M5	文件：1.36435 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.056typ.,42AMDmeshVPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STI57N65M5	文件：339.61 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-262(I2PAK)packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STL57N65M5	文件：1.06852 Mbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.061廓typ.,22.5AMDmesh??VPowerMOSFETinaPowerFLAT??8x8HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPowerMOSFETbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP57N65M5	文件：301.47 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STP57N65M5	文件：1.36435 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.056typ.,42AMDmeshVPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STW57N65M5	文件：1.36435 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.056廓typ.,42AMDmesh??VPowerMOSFETinI짼PAK,TO-220,TO-220FPandD짼PAKpackages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STW57N65M5	文件：417.73 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STWA57N65M5	文件：1.02166 Mbytes Page：17 Pages	N-channel650V,0.056Ωtyp.,42AMDmesh™VPowerMOSFETsinTO-247andTO-247longleadspackages Features •WorldwidebestRDS(on)*areaamongstthe siliconbaseddevices •HigherVDSSrating,highdv/dtcapability •Excellentswitchingperformance •Easytodrive,100avalanchetested Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™V PowerM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STWA57N65M5	文件：417.73 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
STF57N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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