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STF24N60M2	文件：1.08688 Mbytes Page：14 Pages	N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
24N60M2	文件：1.15453 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STB24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STFH24N60M2	文件：747.85 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.168??typ.,18AMDmesh??M2PowerMOSFETinaTO-220FPwidecreepagepackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STFI24N60M2	文件：1.08688 Mbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinTO-220FPandI2PAKFPpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STFU24N60M2	文件：692.55 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.168廓typ.,18AMDmesh??M2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STI24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STL24N60M2	文件：1.27622 Mbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.186typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinaPowerFLAT8x8HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedeviceexhibitslowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingitsuitableforthemostdemandinghighefficiencyco	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168廓typ.,18AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETinD2PAK,I2PAK,TO-220andTO-247packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STW24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

详细参数

型号：
STF24N60M2
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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