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STD70N02L	文件：817.7 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET Description This series of products utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. Thisis suitable for the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. ■ RDS(ON)* Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses redu 文件：817.7 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD70N02L	文件：902.33 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：902.33 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD70N02L	文件：376.79 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 25V - 0.0068廓 - 60A - DPAK - IPAK STripFET??III Power MOSFET 文件：376.79 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD70N02L-1	文件：817.7 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET Description This series of products utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. Thisis suitable for the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. ■ RDS(ON)* Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses redu 文件：817.7 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD70N02L_07	文件：376.79 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 25V - 0.0068廓 - 60A - DPAK - IPAK STripFET??III Power MOSFET 文件：376.79 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD70N02L-1	文件：376.79 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 25V - 0.0068廓 - 60A - DPAK - IPAK STripFET??III Power MOSFET 文件：376.79 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD70N02L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET	ST 意法半导体	ST

详细参数

型号：
STD70N02L
功能描述：
MOSFET N Ch 24V 0.0068 Ohm 60A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD70N02L供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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