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STD6N10	文件：171.05 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.35 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUG 文件：171.05 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD6N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
UTT6N10	文件：147.01 Kbytes Page：3 Pages	100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：147.01 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UTT6N10Z	文件：475.2 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：475.2 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
UTT6N10Z	文件：168.05 Kbytes Page：3 Pages	100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：168.05 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

详细参数

型号：
STD6N10
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 6A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD6N10供应商更新时间2026-4-17 16:01:00

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