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STD6N10

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.35 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUG

文件:171.05 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD6N10

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

ST

意法半导体

UTT6N10

100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:147.01 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

UTT6N10Z

N-Channel Power MOSFET

文件:475.2 Kbytes 页数:3 Pages

KEXIN

科信电子

UTT6N10Z

100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:168.05 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

详细参数

  • 型号:

    STD6N10

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STD6N10供应商 更新时间2025-11-18 16:01:00