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厂商型号

STD6N10

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

171.05 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 14:07:00

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STD6N10规格书详情

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.35 Ω

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175°C OPERATING TEMPERATURE

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ REGULATORS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

产品属性

  • 型号:

    STD6N10

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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