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STD65N55F3规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• 100 avalanche tested
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号：
STD65N55F3
- 功能描述：
MOSFET STripFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
10 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法 |
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DPAK(TO-252) |
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ST/意法 |
25+ |
TO-252-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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ST/意法 |
新年份 |
TO-252 |
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