STD65NF06中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD65NF06规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size”™
strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ Standard level gate drive
■ 100 avalanche tested
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STD65NF06
- 功能描述：
MOSFET N Ch 60V 11.5mohm 60A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
20300 |
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ST |
21+ |
TO-252 |
10 |
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ST |
25+ |
TO252DPAK |
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STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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ST |
2025+ |
TO-252 |
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ST |
22+ |
TO-252 |
20000 |
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ST |
24+ |
TO-252 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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