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STD4NK50ZD	文件：893.9 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 500V - 2.4廓 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH??Power MOSFET Description ThefastSuperMESH™seriesassociatesalladvantagesofreducedon-resistance,zenergateprotectionandoutstandingdc/dtcapabilitywithaFastbody-drainrecoverydiode.SuchseriescomplementstheFDmesh™advancedtecnology. ■100avalanchetested ■Extremelyhighdv/dtcapabili	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD4NK50ZD	文件：1.0791 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD4NK50ZD-1	文件：893.9 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 500V - 2.4廓 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH??Power MOSFET Description ThefastSuperMESH™seriesassociatesalladvantagesofreducedon-resistance,zenergateprotectionandoutstandingdc/dtcapabilitywithaFastbody-drainrecoverydiode.SuchseriescomplementstheFDmesh™advancedtecnology. ■100avalanchetested ■Extremelyhighdv/dtcapabili	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD4NK50ZD-1	文件：1.9069 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF4NK50ZD	文件：893.9 Kbytes Page：17 Pages	N-channel500V-2.4廓-3A-TO-220-TO-220FP-DPAK-IPAKFastdiodeSuperMESH??PowerMOSFET Description ThefastSuperMESH™seriesassociatesalladvantagesofreducedon-resistance,zenergateprotectionandoutstandingdc/dtcapabilitywithaFastbody-drainrecoverydiode.SuchseriescomplementstheFDmesh™advancedtecnology. ■100avalanchetested ■Extremelyhighdv/dtcapabili	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4NK50Z	文件：664.95 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL500V-2.4ohm-3ATO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-ProtectedSuperMESH?줡owerMOSFET DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4NK50Z	文件：1.09125 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP4NK50Z	文件：671.69 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL500V-2.4W-3ATO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4NK50ZD	文件：1.09034 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP4NK50ZD	文件：893.9 Kbytes Page：17 Pages	N-channel500V-2.4廓-3A-TO-220-TO-220FP-DPAK-IPAKFastdiodeSuperMESH??PowerMOSFET Description ThefastSuperMESH™seriesassociatesalladvantagesofreducedon-resistance,zenergateprotectionandoutstandingdc/dtcapabilitywithaFastbody-drainrecoverydiode.SuchseriescomplementstheFDmesh™advancedtecnology. ■100avalanchetested ■Extremelyhighdv/dtcapabili	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD4NK50ZD
功能描述：
MOSFET SuperMESH Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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