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STD30NE06	文件：47.12 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A - DPAK STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable ma 文件：47.12 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD30NE06L	文件：286.34 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark 文件：286.34 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD30NE06L	文件：86.01 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark 文件：86.01 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD30NE06LT4	文件：286.34 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark 文件：286.34 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD30NE06LT4	文件：989.69 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature 文件：989.69 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD30NE06LT4CMD30N06	文件：989.69 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature 文件：989.69 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD30NE06LT4-CMD30N06	文件：989.69 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature 文件：989.69 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD30NE06T4	文件：898.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：898.96 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD30NE06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 STripFET POWER MOSFET	ST 意法半导体	ST

详细参数

型号：
STD30NE06
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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