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STD30NE06	文件：47.12 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A - DPAK STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkablema	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STD30NE06LT4	文件：989.69 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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STD30NE06T4	文件：898.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB30NE06L	文件：47.69 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL60V-0.35ohm-30A-D2PAKSTripFET]POWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP30NE06	文件：48.21 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL60V-0.042ohm-30A-TO-220/TO-220FPSTripFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize”processwherebyasinglebodyisimplantedonastriplayoutstructure.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP30NE06L	文件：105.43 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL60V-0.035ohm-30A-TO-220/TO-220FPSTripFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforeare	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STD30NE06
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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