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STD30NE06L规格书详情
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.025 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100°C
■ APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
■ ADD SUFFIX T4 FOR ORDERING IN TAPE
& REEL
产品属性
- 型号：
STD30NE06L
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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TO-252 |
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ST |
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TO-252 |
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STD30NE06L |
25+ |
1108 |
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ST |
25+ |
TO-252 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
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ST |
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SOT252 |
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ST |
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TO-252 |
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ST(意法) |
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NA |
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ST |
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