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STD30NE06L中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STD30NE06L
厂商型号

STD30NE06L

功能描述

N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252

文件大小

286.34 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 12:00:00

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STD30NE06L规格书详情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.025 Ω

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100°C

■ APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■ ADD SUFFIX T4 FOR ORDERING IN TAPE

& REEL

产品属性

  • 型号:

    STD30NE06L

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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