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STD30NE06中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD30NE06

功能描述

N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A - DPAK STripFET POWER MOSFET

文件大小

47.12 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 16:38:00

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STD30NE06规格书详情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.025 Ω

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100 °C

■ APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■ FOR TAPE & REEL AND OTHER

PACKAGING OPTIONS CONTACT SALES

OFFICES

产品属性

  • 型号:

    STD30NE06

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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