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STD30NE06T4中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
STD30NE06T4
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 30A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-252 |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOT-252 |
11200 |
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询价 | ||
ST |
12+ |
TO-252 |
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ST |
23+ |
TO-252 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
2447 |
SOT252 |
100500 |
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ST |
26+ |
TO-252 |
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ST |
24+ |
TO-252 |
36800 |
询价 | |||
VBsemi |
25+ |
TO252 |
6436 |
询价 | |||
ST |
TO-252 |
35500 |
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询价 |
