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STB13N60M2	文件：1.10829 Mbytes Page：23 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thesedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficien	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD13N60M2	文件：1.10829 Mbytes Page：23 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thesedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficien	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF13N60M2	文件：1.13696 Mbytes Page：14 Pages	Lowgateinputresistance Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFH13N60M2	文件：674.18 Kbytes Page：12 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI13N60M2	文件：1.13696 Mbytes Page：14 Pages	Lowgateinputresistance Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFU13N60M2	文件：655.2 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.35typ.,11AMDmeshTMM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage Features Extremelylowgatecharge LowerRDS(on)xareavspreviousgeneration Lowgateinputresistance 100avalanchetested Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingMDmesh™M2technology. Thankstoitsstriplayoutandanimproved	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL13N60M2	文件：1.05303 Mbytes Page：16 Pages	Lowgateinputresistance Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.Itis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP13N60M2	文件：1.10773 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP13N60M2	文件：1.27392 Mbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.35廓typ.,11AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETsinTO-220,IPAKandTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU13N60M2	文件：1.27392 Mbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.35廓typ.,11AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETsinTO-220,IPAKandTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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