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STD2HNK60Z	文件：497.26 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 600V - 4.4廓 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplication. Suchseri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STD2HNK60Z	文件：1.77775 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
STD2HNK60Z	文件：1.08801 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STD2HNK60Z-1	文件：405.77 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 600V - 4.4廓 - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplication. Suchseri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STD2HNK60Z-1	文件：1.08394 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
F2HNK60Z	文件：497.26 Kbytes Page：16 Pages	N-channel600V-4.4廓-2A-TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplication. Suchseri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STF2HNK60Z	文件：1.041599 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STF2HNK60Z	文件：405.77 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL600V-4.4廓-2.0ATO-92/TO-220FP/IPAKZener-ProtectedSuperMESHMOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplication. Suchseri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STQ2HNK60ZR-AP	文件：497.26 Kbytes Page：16 Pages	N-channel600V-4.4廓-2A-TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplication. Suchseri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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详细参数

型号：
STD2HNK60Z
功能描述：
MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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