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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STD12NE06L | N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearema | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-CHANNEL60V-0.08ohm-12A-IPAK/DPAKSINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearema | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
STD12NE06L
- 功能描述：
MOSFET RO 511-STD12NF06L
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
询价 | |||
ST |
06+ |
TO-252 |
8000 |
原装 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
25 |
询价 | |||
SGS |
24+ |
原厂封装 |
3050 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-251/252 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ST |
1709+ |
TO-252/D-PAK |
32500 |
普通 |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-252 |
20000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 |
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