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STD13NM60N	文件：1.16058 Mbytes Page：24 Pages	Low gate input resistance Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.28 廓 typ., 11 A MDmesh??II Power MOSFET in TO-220FP, I짼PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD13NM60N	文件：300.57 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD13NM60ND	文件：323.25 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28ohmtyp.,11AMDmeshIIPowerMOSFETinTO-220FP,I2PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP,I짼PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：1.07167 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF13NM60N	文件：313.02 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF13NM60ND	文件：1.07075 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STD13NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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