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STD12NE06L中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD12NE06L

功能描述

N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET

文件大小

92.74 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 15:30:00

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STD12NE06L规格书详情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique ”Single Feature Size™” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.09 Ω

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE & REEL

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

产品属性

  • 型号:

    STD12NE06L

  • 功能描述:

    MOSFET RO 511-STD12NF06L

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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