STD12N06中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD12N06规格书详情
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
■ TYPICAL RDS(on) = 0.1 Ω
■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC
■ LOW GATE CHARGE
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ 175°C OPERATING TEMPERATURE
■ APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)
■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS
■ REGULATORS
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
产品属性
- 型号：
STD12N06
- 功能描述：
MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | ||
ST |
2023+ |
DPAK |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
ST |
22+23+ |
TO252 |
16045 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
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ST |
TO-252 |
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ST(意法) |
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ST/意法 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
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