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STB25NM60N	文件：273.54 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 文件：273.54 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB25NM60N	文件：523.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 0.140廓 - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：523.69 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB25NM60N	文件：578.34 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.130 廓 , 21 A, MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 文件：578.34 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB25NM60N-1	文件：281.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.17Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：281.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STB25NM60NT4	文件：345.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.17Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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STB25NM60N-1	文件：578.34 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.130 廓 , 21 A, MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 文件：578.34 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB25NM60N-1	文件：273.54 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 文件：273.54 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB25NM60ND	文件：313.85 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：313.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STB25NM60ND	文件：600.6 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.13 廓, 21 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 文件：600.6 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB25NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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