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SSM3J375F	文件：288.77 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJE；Package：2-3F1S；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 311 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 231 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 179 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 文件：288.77 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J375F	文件：288.82 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJE；Package：S-Mini；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：288.82 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J375F_V01	文件：288.77 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 311 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 231 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 179 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 文件：288.77 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J375FLF	文件：288.77 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 311 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 231 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 179 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 文件：288.77 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J375FLXGF	文件：288.77 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 311 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 231 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 179 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 文件：288.77 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J375FLXHF	文件：288.77 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 311 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 231 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 179 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 文件：288.77 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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