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SSM3J377R	文件：281.66 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJG；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@V 文件：281.66 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J377R	文件：262.91 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJG；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：262.91 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J377R_V01	文件：281.66 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@V 文件：281.66 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J377RLF	文件：281.66 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@V 文件：281.66 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J377RLXGF	文件：281.66 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@V 文件：281.66 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J377RLXHF	文件：281.66 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@V 文件：281.66 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J377R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：1.5-volt gate drive voltage\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -3.9 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS -8/+6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
SOT-23F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.4 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
ID(A)：
-3.9
=2.5V：
0.123
=4.5V：
0.093
Qg(nC)：
4.6
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA(东芝)	24+	N/A	13043	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市正纳电子有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA 光耦集成电路	Original 元件	原厂原封	10050	TOSHIBA现货原装△-更多数量咨询样品批量支持;详询	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-23	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市祥瑞智科技有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA	25+	SOT23	201000	原厂原装,价格优势	询价
深圳市博中泰实业有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-23	60000		询价
深圳市盈慧通电子有限公司	SSM3J377R	TOSHIBA/东芝	2511	SOT-23F	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SSM3J377R,LF	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-23	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	SSM3J377R,LF	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	SOT-23-3 扁平引线	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

更多SSM3J377R供应商更新时间2025-12-1 17:00:00

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