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SSM3J65CTC_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications • Power Management Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1110 mΩ (typ.) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 780 mΩ (typ.) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 650 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 510 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 400 mΩ (typ.)

文件:385.67 Kbytes 页数:8 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K16CT

CST3

SSM3K333RMOS(场效应管)

-

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM3K341R

SOT23-3

SSM3K341RLXHF

SOT-23

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TOSHIBA/东芝
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更多SSM3J65CTC_V01供应商 更新时间2025-11-24 12:00:00