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SSM3J65CTC_V01	文件：385.67 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS Applications • Power Management Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1110 mΩ (typ.) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 780 mΩ (typ.) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 650 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 510 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 400 mΩ (typ.) 文件：385.67 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多SSM3J65CTC_V01供应商更新时间2025-10-6 12:00:00