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SSM3K341R	文件：249.91 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KFU；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.0 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 36 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(O 文件：249.91 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K341R	文件：262.36 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H) 文件：262.36 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K341R_V01	文件：249.91 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.0 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 36 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(O 文件：249.91 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K341RLF	文件：249.91 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.0 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 36 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(O 文件：249.91 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K341RLXGF	文件：249.91 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.0 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 36 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(O 文件：249.91 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K341RLXHF	文件：249.91 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.0 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 36 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(O 文件：249.91 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K341R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 6 A \nPower Dissipation PD 1.2 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
SOT-23F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.4 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
ID(A)：
6.0
=4.5V：
0.051
=10V：
0.036
Qg(nC)：
9.3
Tch(℃)：
175
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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更多SSM3K341R供应商更新时间2025-10-4 9:35:00

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