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SSM3J66MFV	文件：287.27 Kbytes Page：9 Pages	丝印：E5；Package：VESM；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Load Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 90 文件：287.27 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J66MFV	文件：288.26 Kbytes Page：9 Pages	丝印：E5；Package：VESM；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：288.26 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J66MFV_V01	文件：287.27 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Load Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 90 文件：287.27 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J66MFVL3F	文件：287.27 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Load Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 90 文件：287.27 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J66MFVL3XGF	文件：287.27 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Load Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 90 文件：287.27 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J66MFVL3XHF	文件：287.27 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Load Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 90 文件：287.27 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J66MFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：1.2-volt gate drive voltage\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -800 mA \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS -8/+6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
VESM
Width×Length×Height(mm)：
1.2 x 1.2 x 0.5
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
ID(A)：
-0.8
=1.2V：
4.0
=2.5V：
0.48
=4.5V：
0.39
Qg(nC)：
1.6
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	SSM3J66MFV	TOSHIBA/东芝	2025+	SOT-723	5000	原装进口,免费送样品!	询价
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更多SSM3J66MFV供应商更新时间2026-1-31 16:36:00

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