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SSM3J46CTB	文件：215.97 Kbytes Page：6 Pages	Power Management Switch Applications ○PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=250mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=178mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=133mΩ(max)(@VGS=-2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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SSM3J46CTB_15	文件：262.89 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS VI)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

SSM3J46CTB

文件：215.97 Kbytes

Page：6 Pages

Power Management Switch Applications

○PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=250mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=178mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=133mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SSM3J46CTB

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SSM3J46CTB_15

文件：262.89 Kbytes

Page：6 Pages

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS VI)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM3J46CTB
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Power Management Switch Applications

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