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SCTWA40N120G2V-4中文资料Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package数据手册ST规格书
SCTWA40N120G2V-4规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency
技术参数
- 制造商编号
：SCTWA40N120G2V-4
- 生产厂家
：ST
- Package
：HiP247-4
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：1200
- RDS(on)_max(mΩ)
：100
- Drain Current (Dc)_max(A)
：36
- PTOT_max(W)
：277
- Qg_typ(nC)
：61
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
HiP-247-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
HiP-247-4 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
HiP-247-3 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
