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SCTW40N120G2VAG规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
技术参数
- 制造商编号
：SCTW40N120G2VAG
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：1200
- Drain Current (Dc)_max(A)
：33
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.105
- PTOT_max(W)
：290
- Qg_typ(nC)
：63
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
20+ |
HiP-247 |
3000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
原厂封装 |
545101 |
有挂就有货只做原装正品 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
HiP-247 |
8216 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
2511 |
NA |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 |
