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SCTW100N65G2AG中文资料汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封装数据手册ST规格书
SCTW100N65G2AG规格书详情
描述 Description
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。
特性 Features
• 专为汽车应用而设计
• 导通电阻随温度变化敏感温度
• 稳定的超快速本体二极管
• 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
• 低电容
技术参数
- 制造商编号
：SCTW100N65G2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：650
- Drain Current (Dc)_max(A)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.026
- PTOT_max(W)
：420
- Qg_typ(nC)
：162
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
25+ |
原装 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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HIP247 |
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