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SCTW100N65G2AG数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

SCTW100N65G2AG

功能描述

汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、20 mOhm(典型值,TJ = 25°C),HiP247封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:35:00

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SCTW100N65G2AG规格书详情

描述 Description

该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。

特性 Features

• 专为汽车应用而设计
• 导通电阻随温度变化敏感温度
• 稳定的超快速本体二极管
• 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
• 低电容

技术参数

  • 制造商编号

    :SCTW100N65G2AG

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :HIP247

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS_nom(V)

    :650

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :100

  • RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)

    :0.026

  • PTOT_max(W)

    :420

  • Qg_typ(nC)

    :162

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