丝印：SCT100N65G2AG；Package：HiP247；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

Features • AEC-Q101 qualified • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C) • Very fast and robust intrinsic body diode • Low capacitance Applications • Traction for inverters • DC-DC converters • OBC Description This silicon carbide Power MOSFET device has been de

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封装

该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。 • 专为汽车应用而设计 \n• 导通电阻随温度变化敏感温度 \n• 稳定的超快速本体二极管 \n• 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C) \n• 低电容;

ST

意法半导体

开发板

TI

德州仪器

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DIP24

MEANWELL

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DIP

MEANWELL

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