首页>SCTW35N65G2VAG>规格书详情
SCTW35N65G2VAG数据手册ST中文资料规格书
SCTW35N65G2VAG规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance
技术参数
- 制造商编号
：SCTW35N65G2VAG
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：650
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.067
- PTOT_max(W)
：240
- Qg_typ(nC)
：73
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
20+ |
TO-247-3 |
30 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
ST/意法 |
2223+ |
HIP247 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST |
23+ |
HIP-247 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ST |
2511 |
HIP-247 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 |
