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SCTWA35N65G2V-4规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitances
• Source sensing pin for increased efficiency
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
技术参数
- 制造商编号
：SCTWA35N65G2V-4
- 生产厂家
：ST
- Package
：HiP247-4
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：67
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- PTOT_max(W)
：240
- Qg_typ(nC)
：73
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
N/A |
5000 |
原装分货 强势渠道 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
20+ |
HiP-247-4 |
75 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
22+ |
HiP-247-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
HIP247 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
