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SCTWA35N65G2V-4中文资料Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package数据手册ST规格书
SCTWA35N65G2V-4规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitances
• Source sensing pin for increased efficiency
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
技术参数
- 制造商编号
：SCTWA35N65G2V-4
- 生产厂家
：ST
- Package
：HiP247-4
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：67
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- PTOT_max(W)
：240
- Qg_typ(nC)
：73
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ST/意法 |
24+ |
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5000 |
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ST(意法半导体) |
20+ |
HiP-247-4 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
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ST(意法) |
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NA |
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ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
HiP-247-4 |
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询价 |
