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SCTW90N65G2V数据手册ST中文资料规格书
SCTW90N65G2V规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
特性 Features
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitances
技术参数
- 制造商编号
：SCTW90N65G2V
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- Drain Current (Dc)_max(A)
：119
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.024
- PTOT_max(W)
：565
- Qg_typ(nC)
：157
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
HiP247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HIP247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST |
两年内 |
NA |
5 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
HIP-247-3 |
18000 |
只做原装现货可开票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
HIP247-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
7093 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
HIP-247-3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HIP247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
