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SCTW90N65G2V中文资料碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装数据手册ST规格书
SCTW90N65G2V规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
特性 Features
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitances
技术参数
- 制造商编号
：SCTW90N65G2V
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- Drain Current (Dc)_max(A)
：119
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.024
- PTOT_max(W)
：565
- Qg_typ(nC)
：157
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
HIP247 |
10000 |
正规渠道原装正品 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
7093 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
HIP247-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HIP247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
HIP-247-3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST |
24+ |
HiP247 |
340 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 |
