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SCTW70N120G2V中文资料碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、22 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装数据手册ST规格书

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厂商型号

SCTW70N120G2V

功能描述

碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、22 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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SCTW70N120G2V规格书详情

描述 Description

该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

特性 Features

• 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
• 稳定的超快速本体二极管
• 极低的栅极电荷和输入电容

技术参数

  • 制造商编号

    :SCTW70N120G2V

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :HIP247

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS_nom(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(mΩ)

    :30

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :91

  • PTOT_max(W)

    :547

  • Qg_typ(nC)

    :150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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