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SCTWA35N65G2VAG中文资料Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package数据手册ST规格书
SCTWA35N65G2VAG规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
主要特性
AEC-Q101 qualifiedVery fast and robust intrinsic body diodeLow capacitance
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance
技术参数
- 制造商编号
：SCTWA35N65G2VAG
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247 long leads
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：67
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- PTOT_max(W)
：240
- Qg_typ(nC)
：73
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
20+ |
TO-247-LongLeads |
600 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
8216 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 |
