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RJH60F5	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5	文件：94.79 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5BDPQ-A0	文件：101.63 Kbytes Page：9 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching tf=68nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5DPK	文件：199.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Highspeedswitching •Lowon-statevoltage •Fastrecoverydiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5DPK-00-T0	文件：199.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Highspeedswitching •Lowon-statevoltage •Fastrecoverydiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0-T0	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5BDPQ-A0_15	文件：101.63 Kbytes Page：9 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5DPK	文件：86.04 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F5DPK_10	文件：86.04 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RJH60F5
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching

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