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RJH60F5	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω 文件：112.36 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5	文件：94.79 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching 文件：94.79 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V - 40A - IGBT, High Speed Power Switching 1. Low collector to emitter saturation voltage\n Vce(sat)= 1.37 V typ. (Ic= 40A, Vge= 15 V, Ta = 25°C)\n2. Built in fast recovery diode in one package\n3. Trench gate and thin wafer technology\n4. High speed switching\n tr= 85 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 , Ta = 2	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60F5BDPQ-A0	文件：101.63 Kbytes Page：9 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) ● Built in fast recovery diode in one package ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching tf = 68 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 1 文件：101.63 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK	文件：199.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • High speed switching • Low on-state voltage • Fast recovery diode 文件：199.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK-00-T0	文件：199.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • High speed switching • Low on-state voltage • Fast recovery diode 文件：199.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω 文件：112.36 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPQ-A0-T0	文件：112.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω 文件：112.36 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5BDPQ-A0_15	文件：101.63 Kbytes Page：9 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching 文件：101.63 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK	文件：86.04 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：86.04 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-247A
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
160
IC (A) @25 °C：
80
IC (A) @100 °C：
40
VCE (sat)(V)：
1.37
tf (µs) 典型值：
0.068
FRD Vf (V)：
2.5
FRD trr (ns)：
25
Pch (W)：
260.4
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

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