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RJH60F5DPK	文件：199.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • High speed switching • Low on-state voltage • Fast recovery diode 文件：199.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK	文件：86.04 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：86.04 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK-00-T0	文件：199.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • High speed switching • Low on-state voltage • Fast recovery diode 文件：199.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK_10	文件：86.04 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：86.04 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK_11	文件：91.7 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：91.7 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK_15	文件：91.7 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：91.7 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK-00-T0	文件：86.04 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：86.04 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60F5DPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3P
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
160
IC (A) @25 °C：
80
IC (A) @100 °C：
40
VCE (sat)(V)：
1.37
tf (µs) 典型值：
0.085
FRD Vf (V)：
1.6
FRD trr (ns)：
140
Pch (W)：
260.4
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

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更多RJH60F5DPK供应商更新时间2025-10-10 16:43:00

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