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RJH60F5BDPQ-A0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60F5BDPQ-A0 |
| 参数属性 | RJH60F5BDPQ-A0 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A |
| 功能描述 | 600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
101.63 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-27 23:01:00 |
| 人工找货 | RJH60F5BDPQ-A0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60F5BDPQ-A0规格书详情
Features
● Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
● Built in fast recovery diode in one package
● Trench gate and thin wafer technology
● High speed switching
tf = 68 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60F5BDPQ-A0#T0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，40A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/95ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247A
- 描述：
IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Renesas Electronics America In |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RES |
18+ |
TO-247 |
85600 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
11+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
11+ |
TO-3P |
150 |
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询价 | ||
RENESASAS |
25+23+ |
TO-247 |
34902 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247 |
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
瑞萨 |
24+ |
TO-3PN |
48650 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO247 |
42000 |
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RENESASAS |
1844+ |
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询价 |
