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RJH60F5BDPQ-A0	文件：101.63 Kbytes Page：9 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) ● Built in fast recovery diode in one package ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching tf = 68 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 1 文件：101.63 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5BDPQ-A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60F5BDPQ-A0_15	文件：101.63 Kbytes Page：9 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching 文件：101.63 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5BDPQ-A0#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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更多RJH60F5BDPQ-A0供应商更新时间2025-10-4 11:10:00