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CEM6601	文件：1.035069 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEM6601A	文件：420.2 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6601	文件：434.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CET6601	文件：601.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CET6601A	文件：504.34 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6601	文件：990.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC6601A	文件：941.71 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-13.5A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM6601JPT	文件：212.92 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchi	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CJL6601	文件：803.2 Kbytes Page：2 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJQ6601	文件：3.87754 Mbytes Page：6 Pages	N-channelandP-channelComplementaryMOSFETS	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
DMG6601LVT	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6601LVT	文件：9.6704 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET ProductSummary N-Channel Vps=30V,Ip=4A Ros(on)30mQ@Ves=10V(Typ) Ros(on)50mQ@Ves=-4.5V(Typ) P-Channel Vos=-30V,Ip=3A Ros(on)45mQ@Ves=-10V(Typ) Rosion)85mQ@Ves=-4.5V(Typ)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
E6601A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
EFC6601R	文件：422.24 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EFC6601R	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EFC6601R-TR	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FP6601Q	文件：491.98 Kbytes Page：8 Pages	USBDedicatedChargingPortControllerforFastChargingProtocolandQC2.0/3.0	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER

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产品属性

产品编号：
PT6601R
制造商：
Texas Instruments
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
PT6600
包装：
托盘
类型：
非隔离 PoL 模块
电压 - 输入（最小值）：
4.5V
电压 - 输入（最大值）：
6V
电压 - 输出 1：
3.3V
电流 - 输出（最大值）：
7A
应用：
ITE（商业）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
效率：
83%
安装类型：
通孔，直角
封装/外壳：
14-SIP 模块
描述：
DC DC CONVERTER 3.3V

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更多PT6601R供应商更新时间2024-6-6 15:33:00

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