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DMG6601LVT中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

DMG6601LVT

功能描述

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件大小

404.8 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-4 14:20:00

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产品属性

  • 型号:

    DMG6601LVT

  • 功能描述:

    MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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