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DMG6601LVT	文件：9.6704 Mbytes Page：10 Pages	Marking：66G；Package：SOT23-6；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ProductSummary N-Channel Vps=30V,Ip=4A Ros(on)30mQ@Ves=10V(Typ) Ros(on)50mQ@Ves=-4.5V(Typ) P-Channel Vos=-30V,Ip=3A Ros(on)45mQ@Ves=-10V(Typ) Rosion)85mQ@Ves=-4.5V(Typ)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMG6601LVT	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG6601LVT_15	文件：380.88 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG6601LVT-7	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
E6601A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
EFC6601R	文件：422.24 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EFC6601R	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EFC6601R-TR	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FP6601Q	文件：491.98 Kbytes Page：8 Pages	USBDedicatedChargingPortControllerforFastChargingProtocolandQC2.0/3.0	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
FTK6601S	文件：480.35 Kbytes Page：5 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	FS First Silicon Co., Ltd	FS

详细参数

型号：
DMG6601LVT
功能描述：
MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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