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DMG6601LVT	文件：9.6704 Mbytes Page：10 Pages	N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ProductSummary N-Channel Vps=30V,Ip=4A Ros(on)30mQ@Ves=10V(Typ) Ros(on)50mQ@Ves=-4.5V(Typ) P-Channel Vos=-30V,Ip=3A Ros(on)45mQ@Ves=-10V(Typ) Rosion)85mQ@Ves=-4.5V(Typ)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMG6601LVT	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6601LVT_15	文件：380.88 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6601LVT-7	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E6601A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
EFC6601R	文件：422.24 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EFC6601R	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EFC6601R-TR	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •2.5Vdrive •Protectiondiodein •Common-draintype •Halogenfreecompliance •2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FP6601Q	文件：491.98 Kbytes Page：8 Pages	USBDedicatedChargingPortControllerforFastChargingProtocolandQC2.0/3.0	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
FTK6601S	文件：480.35 Kbytes Page：5 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HIP6601	文件：234.1 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601	文件：84.68 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601	文件：241.64 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICPackage •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency •Three-StateInputfo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP6601A	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601A	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP6601ACB	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601ACB	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP6601ACB-T	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601ACB-T	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP6601B	文件：261.91 Kbytes Page：12 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xxseriesofMulti	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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详细参数

型号：
DMG6601LVT
功能描述：
MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMG6601LVT供应商更新时间2024-9-26 10:50:00

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