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DMG6601LVT	文件：9.6704 Mbytes Page：10 Pages	丝印：66G；Package：SOT23-6；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary N-Channel Vps = 30V,Ip = 4A Ros(on) 30mQ @ Ves=10V (Typ) Ros(on) 50mQ @ Ves=-4.5V (Typ) P-Channel Vos = -30V,Ip = 3A Ros(on) 45mQ@ Ves=-10V (Typ) Rosion) 85m Q@ Ves=-4.5V (Typ) 文件：9.6704 Mbytes 页数：10 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMG6601LVT	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：404.8 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6601LVT_15	文件：380.88 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：380.88 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6601LVT-7	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：404.8 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6601LVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.4
PD @ TA = +25°C：
0.85 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
55
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.4
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.3
Packages：
TSOT26

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