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CEZC6601A中文资料华瑞数据手册PDF规格书

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厂商型号

CEZC6601A

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

941.71 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

CET-MOS

中文名称

华瑞

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 9:30:00

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CEZC6601A规格书详情

FEATURES

-60V, -13.5A, RDS(ON) = 86mW @VGS = -10V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 125mW @VGS = -4.5V.

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