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PSMN029-100HL	文件：303.1 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology Generaldescription DuallogiclevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •HighpeakdraincurrentIDM •CopperclipandflexibleLeads •HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C •Superiorreliability •Lowbo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PSMN029-100HL

文件：303.1 Kbytes

Page：12 Pages

N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology

Generaldescription DuallogiclevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •HighpeakdraincurrentIDM •CopperclipandflexibleLeads •HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C •Superiorreliability •Lowbo

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