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PSMN070-200P	文件：768.49 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN070-200P	文件：940.39 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •NewLowThermalResistancePackage •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Industrial	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PSMN070-200P	文件：149.77 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:-	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN070-200P	文件：142.28 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN070-200B	文件：349.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PSMN070-200B	文件：767.8 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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详细参数

型号：
PSMN070-200P
功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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