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PSMN041-80YL	文件：774.92 Kbytes Page：13 Pages	丝印：04180；Package：LFPAK56；N-channel 80 V 41 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 文件：774.92 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN041-80YL_15	文件：360.46 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 80 V 41 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 文件：360.46 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
PSMN041-80YL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 80 V 41 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 Logic level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in LFPAK56 package. This product has been designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for logic level gate drive\n• LFPAK56 package is footprint compatible with other Power-SO8 types\n• Qualified to 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN075-100MSE	文件：0 bytes Page：0 Pages		NEXPERIA USA INC 上传：天津市博通航睿技术有限公司	NEXPERIA USA INC
PSMN1R5-30YLC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT669	Nexperia(安世) 上传：深圳市金芯世纪电子有限公司	Nexperia(安世)

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
41
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
45
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
25
QGD [typ] (nC)：
4.2999997
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
21.9
Ptot [max] (W)：
64
Qr [typ] (nC)：
22
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1180
Coss [typ] (pF)：
99
Release date：
2013-03-07

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